Name: IRF3205STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3205STRLPBFTR-ND
Price: 2.52954 CHF
Availability: InStock

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IRF3205STRLPBF
Codice DigiKey	IRF3205STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF3205STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF3205STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF3205STRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 110 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF3205STRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 146 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3247 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF3205
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 62A, 10V

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Sostituti (9)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB081N06L3GATMA1	Infineon Technologies	5’302	IPB081N06L3GATMA1CT-ND	Fr. 1.96000	Simile
BUK7610-55AL,118	Nexperia USA Inc.	4’579	1727-BUK7610-55AL,118CT-ND	Fr. 3.28000	Simile
BUK9608-55B,118	Nexperia USA Inc.	321	1727-4711-1-ND	Fr. 2.48000	Simile
HUF75345S3ST	onsemi	1’881	HUF75345S3STCT-ND	Fr. 6.37000	Simile
IXTA90N075T2	IXYS	221	IXTA90N075T2-ND	Fr. 4.07000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)