Name: IRF3205STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3205STRLPBFTR-ND
Price: 2.18362 CHF
Availability: InStock

IRF3205STRLPBF
Codice DigiKey	IRF3205STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF3205STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF3205STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF3205STRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 110 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF3205STRLPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	110 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8mohm a 62A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	146 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3247 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF3205

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.02000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.18362

IRF3205STRLPBF