Name: IRF3710ZSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3710ZSTRLPBFTR-ND
Price: 2.65926 CHF
Availability: InStock

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IRF3710ZSTRLPBF
Codice DigiKey	IRF3710ZSTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF3710ZSTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF3710ZSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF3710ZSTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 59 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF3710ZSTRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 120 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2900 pF @ 25 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 59 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF3710
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 35A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB050N10NF2SATMA1	Infineon Technologies	9	448-IPB050N10NF2SATMA1CT-ND	Fr. 2.12000	Consigliato dal produttore
IXTA60N10T	IXYS	0	IXTA60N10T-ND	Fr. 3.29000	Simile
PSMN016-100BS,118	Nexperia USA Inc.	3’924	1727-7208-1-ND	Fr. 2.00000	Simile
STB40NF10LT4	STMicroelectronics	857	497-3736-1-ND	Fr. 2.75000	Simile
STB80NF10T4	STMicroelectronics	807	497-2489-1-ND	Fr. 2.99000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)