IRF540NL Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRF540NL
Codice DigiKey	IRF540NL-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF540NL
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33 A (Tc) 130W (Tc) Foro passante TO-262
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF540NL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	33 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	44mohm a 16A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1960 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-262
Contenitore/involucro	TO-262-3 conduttori lunghi, I2PAK, TO-262AA

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 3.22000	Fr. 3.22
50	Fr. 1.64160	Fr. 82.08
100	Fr. 1.48940	Fr. 148.94

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