Canale P 40 V 3,4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
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Canale P 40 V 3,4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
IRF5800TRPBF
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IRF5803TRPBF

Codice DigiKey
IRF5803TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRF5803TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRF5803TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IRF5803TRPBF
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 40 V 3,4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale Micro6™(TSOP-6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRF5803TRPBF Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1110 pF @ 25 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Contenitore del fornitore
Micro6™(TSOP-6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
112mohm a 3,4A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Obsoleto
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