IRF60B217 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRF60B217 è obsoleto e non è più in produzione.

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STMicroelectronics

In magazzino: 928

Prezzo unitario : Fr. 2.47000

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IRF60B217
Codice DigiKey	IRF60B217-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF60B217
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 60 A (Tc) 83W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF60B217 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,7V a 50µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 66 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2230 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IRF60B217
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 36A, 10V