IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRF60SC241ARMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 233

Prezzo unitario : Fr. 3.50000

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IRF60SC241ARMA1
Codice DigiKey	448-IRF60SC241ARMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRF60SC241ARMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRF60SC241ARMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF60SC241ARMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 360 A (Tc) 2,4W (Ta), 417W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF60SC241ARMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,7V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 388 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 16000 pF @ 30 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,4W (Ta), 417W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 360 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IRF60SC241
RDSon (max) a Id, Vgs 1,3mohm a 100A, 10V