IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IRF60SC241ARMA1
Codice DigiKey	448-IRF60SC241ARMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRF60SC241ARMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRF60SC241ARMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF60SC241ARMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 360 A (Tc) 2,4W (Ta), 417W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF60SC241ARMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	360 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,3mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,7V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	388 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	16000 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,4W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base	IRF60SC241