Name: IRF640NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF640NSTRLPBFTR-ND
Price: 2.04309 CHF
Availability: InStock

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IRF640NSTRLPBF
Codice DigiKey	IRF640NSTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF640NSTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF640NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF640NSTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 18 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF640NSTRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 67 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1160 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF640
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 11A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)