Name: IRF6646TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6646TRPBFTR-ND
Price: 2.43225 CHF
Availability: InStock

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IRF6646TRPBF
Codice DigiKey	IRF6646TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF6646TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF6646TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF6646TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 12 A (Ta), 68 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ MN
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF6646TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,9V a 150µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2060 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore DIRECTFET™ MN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta), 68 A (Tc)	Contenitore/involucro DirectFET™ isometrico MN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF6646
RDSon (max) a Id, Vgs 9,5mohm a 12A, 10V