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IRF6655TRPBF | |
|---|---|
Codice DigiKey | IRF6655TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IRF6655TRPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 4,2 A (Ta), 19 A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 62mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,8V a 25µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11.7 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 530 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,2W (Ta), 42W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DIRECTFET™ SH | |
Contenitore/involucro |
Obsoleto
Svizzera