Canale N 30 V 32 A (Ta), 180 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ MT
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IRF6726MTRPBF

Codice DigiKey
IRF6726MTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRF6726MTRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 32 A (Ta), 180 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale DIRECTFET™ MT
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2,35V a 150µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
77 nC @ 4.5 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6140 pF @ 15 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
2,8W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
DIRECTFET™ MT
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 32A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Obsoleto
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