MOSFET - Array 30V 4,9 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale PG-DSO-8-902
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IRF7303TRPBFXTMA1

Codice DigiKey
448-IRF7303TRPBFXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IRF7303TRPBFXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IRF7303TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF7303TRPBFXTMA1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Tempi di consegna standard del produttore
9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 4,9 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale PG-DSO-8-902
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,9 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
50mohm a 2,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
520pF a 25V
Potenza - Max
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
PG-DSO-8-902
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In magazzino: 6’106
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.10000Fr. 1.10
10Fr. 0.69800Fr. 6.98
100Fr. 0.46220Fr. 46.22
500Fr. 0.36116Fr. 180.58
1’000Fr. 0.32864Fr. 328.64
2’000Fr. 0.30882Fr. 617.64
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4’000Fr. 0.27826Fr. 1’113.04
8’000Fr. 0.25890Fr. 2’071.20
12’000Fr. 0.25230Fr. 3’027.60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.10000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.18910