IRF7307TRPBF Infineon Technologies | Array FET, MOSFET

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IRF7307TRPBF
Codice DigiKey	IRF7307PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7307TRPBF
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5,2 A, 4,3 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 2,6A, 4,5V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 700mV a 250µA
Serie HEXFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 660pF a 15V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 2W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,2 A, 4,3 A	Codice componente base IRF73

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMC2020USD-13	Diodes Incorporated	0	DMC2020USD-13DICT-ND	Fr. 1.01000	Simile
PJL9602_R2_00001	Panjit International Inc.	1’425	3757-PJL9602_R2_00001CT-ND	Fr. 0.89000	Simile