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Scheda tecnica
MOSFET - Array 20V 6,6 A, 5,3 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
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IRF7317PBF

Codice DigiKey
IRF7317PBF-ND
Produttore
Codice produttore
IRF7317PBF
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 6,6 A, 5,3 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
29mohm a 6A, 4,5V
Produttore
Infineon Technologies
Vgs(th) max a Id
700mV a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
27nC a 4,5V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
900pF a 15V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Potenza - Max
2W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
Canale N e P
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Contenitore del fornitore
8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6,6 A, 5,3 A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMC2020USD-13Diodes Incorporated0DMC2020USD-13DICT-NDFr. 1.01000Simile
FDS9934Consemi0FDS9934CCT-NDFr. 0.93000Simile
In magazzino: 0
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