IRF7317TRPBF Infineon Technologies | Array FET, MOSFET

IRF7317TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.

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IRF7317TRPBF
Codice DigiKey	IRF7317PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7317PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7317PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7317TRPBF
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 6,6 A, 5,3 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7317TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 29mohm a 6A, 4,5V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 700mV a 250µA
Serie HEXFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 900pF a 15V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 2W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,6 A, 5,3 A	Codice componente base IRF731