
IRF7351TRPBF | |
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Codice DigiKey | IRF7351TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7351TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7351TRPBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRF7351TRPBF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 8A 2W A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRF7351TRPBF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 17,8mohm a 8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 50µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 36nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1330pF a 30V | |
Potenza - Max | 2W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SO | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.75000 | Fr. 1.75 |
| 10 | Fr. 1.12400 | Fr. 11.24 |
| 100 | Fr. 0.76300 | Fr. 76.30 |
| 500 | Fr. 0.60848 | Fr. 304.24 |
| 1’000 | Fr. 0.58410 | Fr. 584.10 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4’000 | Fr. 0.47720 | Fr. 1’908.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.75000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.89175 |
















