IRF7421D1TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRF7421D1TRPBF
Codice DigiKey	IRF7421D1PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7421D1PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7421D1TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 5,8 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 10 V
Serie FETKY™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 510 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Funzione FET Diodo Schottky (isolato)
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,8 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 4,1A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CWDM305N TR13 PBFREE	Central Semiconductor Corp	0	1514-CWDM305NTR13PBFREETR-ND	Fr. 0.18619	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.12424

IRF7421D1TRPBF