IRF7465PBF è esaurito e non è attualmente disponibile per un ordine arretrato.
Sostituti disponibili:

Simile

SI4464DY-T1-E3
Vishay Siliconix
In magazzino: 22’490
Prezzo unitario : Fr. 1.72000
Scheda tecnica

Simile

SI4464DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
In magazzino: 2’081
Prezzo unitario : Fr. 1.81000
Scheda tecnica
Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi
Canale N 150 V 1,9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRF7465PBF

Codice DigiKey
IRF7465PBF-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF7465PBF
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 150 V 1,9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
280mohm a 1,14A, 10V
Vgs(th) max a Id
5,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
330 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SO
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

0 in magazzino
A causa dei problemi con le forniture, non siamo in grado di accettare ordini arretrati e i tempi di consegna non sono disponibili al momento. Visualizza Articoli sostitutivi o Tipi di contenitori alternativi.