Name: IRF7769L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7769L1TRPBFTR-ND
Price: 4.72397 CHF
Availability: InStock

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IRF7769L1TRPBF
Codice DigiKey	IRF7769L1TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7769L1TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7769L1TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7769L1TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 20 A (Ta), 124 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale DirectFET™ isometrico L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7769L1TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 300 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11560 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Ta), 125W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta), 124 A (Tc)	Contenitore del fornitore DirectFET™ isometrico L8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro DirectFET™ isometrico L8
RDSon (max) a Id, Vgs 3,5mohm a 74A, 10V	Codice componente base IRF7769