IRF9520NPBF Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRF9520NPBF
Codice DigiKey	IRF9520NPBF-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF9520NPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 6,8 A (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF9520NPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,8 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	480mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	27 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	350 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IRF9520