Name: IRFB3206GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB3206GPBF-ND
Price: 1.1692 CHF
Availability: InStock

IRFB3206GPBF
Codice DigiKey	IRFB3206GPBF-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFB3206GPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6540 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IRFB3206

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.08159
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.16920

IRFB3206GPBF