8-Power TDFN
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IRFH4210DTRPBF

Codice DigiKey
IRFH4210DTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRFH4210DTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRFH4210DTRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 44A PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 25 V 44 A (Ta) 3,5W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale PQFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
44 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,1mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,1V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4812 pF @ 13 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PQFN (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
IRFH4210
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.98000Fr. 1.98
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.98000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.14038