Name: IRFH5015TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5015TRPBFTR-ND
Price: 1.17829 CHF
Availability: InStock

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IRFH5015TRPBF
Codice DigiKey	IRFH5015TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFH5015TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFH5015TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFH5015TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 10 A (Ta), 56 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFH5015TRPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Ta), 56 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	31mohm a 34A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2300 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	IRFH5015

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.09000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.17829

IRFH5015TRPBF