
IRFH5210TRPBF | |
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Codice DigiKey | IRFH5210TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFH5210TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFH5210TRPBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRFH5210TRPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 10 A (Ta), 55 A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRFH5210TRPBF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14,9mohm a 33A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 100µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 59 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2570 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,6W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN (5x6) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.50000 | Fr. 1.50 |
| 10 | Fr. 0.95000 | Fr. 9.50 |
| 100 | Fr. 0.63960 | Fr. 63.96 |
| 500 | Fr. 0.50642 | Fr. 253.21 |
| 1’000 | Fr. 0.46745 | Fr. 467.45 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4’000 | Fr. 0.38531 | Fr. 1’541.24 |
| 8’000 | Fr. 0.38190 | Fr. 3’055.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.62150 |











