IRFH7107TRPBF Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRFH7107TRPBF
Codice DigiKey	IRFH7107TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFH7107TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 14A/75A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 14 A (Ta), 75 A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	75 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14 A (Ta), 75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,5mohm a 45A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3110 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN