Name: IRFH8324TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8324TRPBFTR-ND
Price: 1.07019 CHF
Availability: InStock

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IRFH8324TRPBF
Codice DigiKey	IRFH8324TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFH8324TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFH8324TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFH8324TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 23 A (Ta), 90 A (Tc) 3,6W (Ta), 54W (Tc) A montaggio superficiale PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFH8324TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,35V a 50µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2380 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 54W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23 A (Ta), 90 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRFH8324
RDSon (max) a Id, Vgs 4,1mohm a 20A, 10V

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Sostituti (7)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AON7522E	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	72’207	785-1505-1-ND	Fr. 0.75000	Simile
CSD17310Q5A	Texas Instruments	10’152	296-25858-1-ND	Fr. 1.29000	Simile
CSD17506Q5A	Texas Instruments	7’500	296-28408-1-ND	Fr. 1.81000	Simile
CSD17510Q5A	Texas Instruments	4’013	296-27792-1-ND	Fr. 1.46000	Simile
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	658	31-DMN3008SFGQ-7CT-ND	Fr. 1.10000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)