Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFHM3911TRPBFTR-ND
Price: 0.89723 CHF
Availability: InStock

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IRFHM3911TRPBF
Codice DigiKey	448-IRFHM3911TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRFHM3911TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRFHM3911TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFHM3911TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3,2 A (Ta), 20 A (Tc) 2,8W (Ta), 29W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (3x3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFHM3911TRPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,2 A (Ta), 20 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	115mohm a 6,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 35µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	760 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,8W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (3x3)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	IRFHM3911

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.83000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.89723

IRFHM3911TRPBF