IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRFHS9301TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Rohm Semiconductor

In magazzino: 4’617

Prezzo unitario : Fr. 1.01000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFHS9301TRPBF
Codice DigiKey	IRFHS9301TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFHS9301TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFHS9301TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFHS9301TRPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 6 A (Ta), 13 A (Tc) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFHS9301TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 25µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 580 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta), 13 A (Tc)	Contenitore/involucro 6-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRFHS9301
RDSon (max) a Id, Vgs 37mohm a 7,8A, 10V