IRFR2405TRRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Infineon Technologies
In magazzino: 402
Prezzo unitario : Fr. 1.64000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Infineon Technologies
In magazzino: 34’923
Prezzo unitario : Fr. 1.67000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1’126
Prezzo unitario : Fr. 2.33000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 7’500
Prezzo unitario : Fr. 1.65000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1’222
Prezzo unitario : Fr. 1.66000
Scheda tecnica
Canale N 55 V 56 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA (DPAK)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFR2405TRRPBF

Codice DigiKey
IRFR2405TRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRFR2405TRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 55 V 56 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
16mohm a 34A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2430 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA (DPAK)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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