Name: IRFR3910TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3910PBFTR-ND
Price: 1.47016 CHF
Availability: InStock

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IRFR3910TRPBF
Codice DigiKey	IRFR3910PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFR3910PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFR3910PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFR3910TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 16 A (Tc) 79W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 44 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 640 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFR3910
RDSon (max) a Id, Vgs 115mohm a 10A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (7)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN10H099SK3-13	Diodes Incorporated	1’255	DMN10H099SK3-13DICT-ND	Fr. 0.99000	Simile
NTD6416ANT4G	onsemi	8’432	NTD6416ANT4GOSCT-ND	Fr. 1.49000	Simile
PJD13N10A_L2_00001	Panjit International Inc.	79	3757-PJD13N10A_L2_00001CT-ND	Fr. 0.65000	Simile
STD15NF10T4	STMicroelectronics	3’530	497-7958-1-ND	Fr. 1.41000	Simile
TSM900N10CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	20’439	TSM900N10CPROGCT-ND	Fr. 0.98000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)