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Canale N 500 V 6 A (Tc) 119W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA (DPAK)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFR825TRPBF

Codice DigiKey
IRFR825TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRFR825TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRFR825TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IRFR825TRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 6 A (Tc) 119W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRFR825TRPBF Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
34 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1346 pF @ 25 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
119W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Contenitore del fornitore
TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
1,3ohm a 3,7A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (11)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FDD5N50NZTMonsemi4’758FDD5N50NZTMCT-NDFr. 1.35000Simile
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