Name: IRFS3206TRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS3206TRRPBFTR-ND
Price: 2.86465 CHF
Availability: InStock

IRFS3206TRRPBF
Codice DigiKey	IRFS3206TRRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFS3206TRRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFS3206TRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFS3206TRRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFS3206TRRPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6540 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRFS3206

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.65000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.86465

IRFS3206TRRPBF