IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRFS4510TRLPBF
Codice DigiKey	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFS4510TRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 61 A (Tc) 140W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFS4510TRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 100µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3180 pF @ 50 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 61 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFS4510
RDSon (max) a Id, Vgs 13,9mohm a 37A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRFS4410ZTRLPBF	Infineon Technologies	11’223	IRFS4410ZTRLPBFCT-ND	Fr. 2.34000	Consigliato dal produttore
IXTA80N10T	IXYS	0	238-IXTA80N10T-ND	Fr. 4.00000	Simile

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)