IRL530STRRPBF Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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Vishay Siliconix

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IRL530STRRPBF
Codice DigiKey	IRL530STRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRL530STRRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 15 A (Tc) 3,7W (Ta), 88W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs	160mohm a 9A, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	28 nC @ 5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	930 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,7W (Ta), 88W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRL530