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IRL6342PBF

Codice DigiKey
IRL6342PBF-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRL6342PBF
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 9,9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRL6342PBF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
14,6mohm a 9,9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,1V a 10µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1025 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SO
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
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