Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBFTR-ND
Price: 2.73493 CHF
Availability: InStock

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IRLH5030TRPBF
Codice DigiKey	IRLH5030TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLH5030TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLH5030TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLH5030TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 13 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLH5030TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 150µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 94 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5185 pF @ 50 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 156W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IRLH5030
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 50A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC077N12NS3GATMA1	Infineon Technologies	13’927	BSC077N12NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.91000	Simile
CSD19533Q5A	Texas Instruments	4’573	296-37479-1-ND	Fr. 1.86000	Simile
CSD19533Q5AT	Texas Instruments	238	296-44472-1-ND	Fr. 2.51000	Simile
STL90N10F7	STMicroelectronics	2’196	497-13969-1-ND	Fr. 1.82000	Simile