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CSD18531Q5AT
Texas Instruments
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Canale N 60 V 20 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 160W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
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IRLH5036TRPBF

Codice DigiKey
IRLH5036TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRLH5036TRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 20 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 160W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,4mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5360 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,6W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
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