Name: IRLHS6376TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLHS6376TRPBFTR-ND
Price: 0.7567 CHF
Availability: InStock

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IRLHS6376TRPBF
Codice DigiKey	IRLHS6376TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLHS6376TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLHS6376TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLHS6376TRPBF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,6A 1,5W A montaggio superficiale 6-PQFN doppio (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLHS6376TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 63mohm a 3,4A, 4,5V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 1,1V a 10µA
Serie HEXFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,8nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 270pF a 25V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,5W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 6-PowerVDFN
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 6-PQFN doppio (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,6A	Codice componente base IRLHS6376

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)