IRLR8503TRPBF Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IRLR8503TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Infineon Technologies

In magazzino: 21’152

Prezzo unitario : Fr. 0.39000

Simile

Diodes Incorporated

In magazzino: 9’308

Prezzo unitario : Fr. 0.58000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRLR8503TRPBF
Codice DigiKey	IRLR8503PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR8503TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 44 A (Tc) 62W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	44 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	16mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1650 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA (DPAK)
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63