Name: ISC010N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC010N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 5.12394 CHF
Availability: InStock

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ISC010N06NM5ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC010N06NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC010N06NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC010N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC010N06NM5ATMA1
Descrizione	OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 39A (Ta), 330A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISC010N06NM5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,05mohm a 50A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,3V a 147µA
Serie OptiMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 143 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 214W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 39A (Ta), 330A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSON-8-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN

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In magazzino: 187

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 1.50722	Fr. 7’536.10

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.74000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.12394

ISC010N06NM5ATMA1