Name: ISC230N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC230N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 0.41483 CHF
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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ISC230N10NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC230N10NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC230N10NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-TDSON-9
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7,7A (Ta), 31A (Tc) 3W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8 FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISC230N10NM6ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,3V a 13µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.3 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 690 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 48W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8 FL
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,7A (Ta), 31A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Codice componente base ISC230N
RDSon (max) a Id, Vgs 23mohm a 10A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
ISZ230N10NM6ATMA1	Infineon Technologies	7’770	448-ISZ230N10NM6ATMA1CT-ND	Fr. 1.64000	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.41483

ISC230N10NM6ATMA1