Name: ISP14EP15LMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP14EP15LMXTSA1TR-ND
Price: 0.42159 CHF
Availability: InStock

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ISP14EP15LMXTSA1
Codice DigiKey	448-ISP14EP15LMXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISP14EP15LMXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISP14EP15LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISP14EP15LMXTSA1
Descrizione	SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 770mA (Ta), 1,29A (Tc) 1,8W (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISP14EP15LMXTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 270µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.6 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 530 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,8W (Ta), 5W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PG-SOT223-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 770mA (Ta), 1,29A (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base ISP14E
RDSon (max) a Id, Vgs 1,38ohm a 800mA, 10V

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.39000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.42159

ISP14EP15LMXTSA1