Name: ISP650P06NMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP650P06NMXTSA1TR-ND
Price: 1.64312 CHF
Availability: InStock

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ISP650P06NMXTSA1
Codice DigiKey	448-ISP650P06NMXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISP650P06NMXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISP650P06NMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISP650P06NMXTSA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 3,7 A (Ta) 1,8W (Ta), 4,2W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISP650P06NMXTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 3,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1,037mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1600 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta), 4,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT223-4
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	ISP650

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Nastrato in bobina (TR)