Name: IST019N08NM5AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IST019N08NM5AUMA1TR-ND
Price: 3.66459 CHF
Availability: InStock

Canale N 80 V 32A (Ta), 290A (Tc) 3,8W (Ta), 313W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-5-4

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IST019N08NM5AUMA1
Codice DigiKey	448-IST019N08NM5AUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IST019N08NM5AUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IST019N08NM5AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IST019N08NM5AUMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 32A (Ta), 290A (Tc) 3,8W (Ta), 313W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-5-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IST019N08NM5AUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 148µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 132 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6600 pF @ 40 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 313W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-5-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 32A (Ta), 290A (Tc)	Contenitore/involucro 5-PowerSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IST019N
RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 100A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IST026N10NM5AUMA1	Infineon Technologies	0	448-IST026N10NM5AUMA1CT-ND	Fr. 3.64000	Consigliato dal produttore

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