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BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
In magazzino: 3’084
Prezzo unitario : Fr. 0.19000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SN7002NH6327XTSA2
Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.21000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SN7002NH6433XTMA1
Infineon Technologies
In magazzino: 3’692
Prezzo unitario : Fr. 0.18000
Scheda tecnica

Simile

2N7002
onsemi
In magazzino: 146’373
Prezzo unitario : Fr. 0.37000
Scheda tecnica

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2N7002-7-F
Diodes Incorporated
In magazzino: 439’718
Prezzo unitario : Fr. 0.11000
Scheda tecnica

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2N7002E-7-F
Diodes Incorporated
In magazzino: 288
Prezzo unitario : Fr. 0.15000
Scheda tecnica

Simile

2N7002K
onsemi
In magazzino: 44’450
Prezzo unitario : Fr. 0.25000
Scheda tecnica

Simile

2N7002K-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 306’067
Prezzo unitario : Fr. 0.14000
Scheda tecnica

Simile

2N7002K-T1-E3
Vishay Siliconix
In magazzino: 239’284
Prezzo unitario : Fr. 0.24000
Scheda tecnica

Simile

2N7002K-T1-GE3
Vishay Siliconix
In magazzino: 275’455
Prezzo unitario : Fr. 0.18000
Scheda tecnica

Simile

2N7002T
onsemi
In magazzino: 31
Prezzo unitario : Fr. 0.35000
Scheda tecnica

Simile

BS170FTA
Diodes Incorporated
In magazzino: 21’640
Prezzo unitario : Fr. 0.70000
Scheda tecnica

Simile

BS870-7-F
Diodes Incorporated
In magazzino: 6’556
Prezzo unitario : Fr. 0.22000
Scheda tecnica

Simile

BSS138AKAR
Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.25000
Scheda tecnica
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PG-SOT23
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SN7002NH6327XTSA1

Codice DigiKey
SN7002NH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
SN7002NH6327XTSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
200mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
5ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id
1,8V a 26µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
45 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT23
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base
SN7002N
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