SN7002NH6433XTMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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SN7002NH6433XTMA1
Codice DigiKey	448-SN7002NH6433XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-SN7002NH6433XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-SN7002NH6433XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SN7002NH6433XTMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.5 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie SIPMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 45 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200mA (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT23
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 5ohm a 500mA, 10V	Codice componente base SN7002
Vgs(th) max a Id 1,8V a 26µA

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SN7002NH6327XTSA2	Infineon Technologies	11’257	SN7002NH6327XTSA2CT-ND	Fr. 0.22000	Equivalente parametrico
MMBF170LT1G	onsemi	0	MMBF170LT1GOSCT-ND	Fr. 0.22000	Simile
NX138AKR	Nexperia USA Inc.	2	1727-2731-1-ND	Fr. 0.12000	Simile

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