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SPA11N60CFDXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SPA11N60CFDXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SPA11N60CFDXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 11 A (Tc) 33W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-31 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPA11N60CFDXKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 1,9mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 64 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1200 pF @ 25 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3-31 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 440mohm a 7A, 10V |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | 76 | R6009KNX-ND | Fr. 2.27000 | Simile |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 373 | R6011ENX-ND | Fr. 3.36000 | Simile |
| R6011KNX | Rohm Semiconductor | 325 | R6011KNX-ND | Fr. 2.10000 | Simile |
| SIHA12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 814 | SIHA12N60E-E3-ND | Fr. 2.70000 | Simile |
| SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 197 | 742-SIHF12N60E-GE3-ND | Fr. 2.93000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 500 | Fr. 1.11916 | Fr. 559.58 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.11916 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.20981 |
