
SPA11N80C3XKSA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SPA11N80C3XKSA2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 11 A (Tc) 34W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 680µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 85 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 34W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 450mohm a 7,1A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP8N70X2M | IXYS | 12 | IXTP8N70X2M-ND | Fr. 4.04000 | Simile |
| TK12E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK12E80WS1X-ND | Fr. 4.48000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.71000 | Fr. 2.71 |
| 50 | Fr. 1.35660 | Fr. 67.83 |
| 100 | Fr. 1.22510 | Fr. 122.51 |
| 500 | Fr. 0.99460 | Fr. 497.30 |
| 1’000 | Fr. 0.92055 | Fr. 920.55 |
| 2’000 | Fr. 0.85831 | Fr. 1’716.62 |
| 5’000 | Fr. 0.79682 | Fr. 3’984.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.71000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.92951 |


