Name: SPA17N80C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPA17N80C3XKSA1-ND
Price: 4.39967 CHF
Availability: InStock

Canale N 800 V 17 A (Tc) 42W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-31

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SPA17N80C3XKSA1
Codice DigiKey	448-SPA17N80C3XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPA17N80C3XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 17 A (Tc) 42W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-31
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPA17N80C3XKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 1mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 177 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2320 pF @ 25 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO220-3-31
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3 Full Pack
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPA17N80
RDSon (max) a Id, Vgs 290mohm a 11A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FCPF260N60E	onsemi	1’720	488-FCPF260N60E-ND	Fr. 3.53000	Simile
SIHA15N65E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHA15N65E-GE3-ND	Fr. 3.47000	Simile
STF11NM80	STMicroelectronics	923	497-4338-5-ND	Fr. 5.81000	Simile
STF18NM80	STMicroelectronics	0	497-13081-5-ND	Fr. 6.84000	Simile
STF23N80K5	STMicroelectronics	814	497-16305-5-ND	Fr. 5.08000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 4.07000	Fr. 4.07
50	Fr. 2.10560	Fr. 105.28
100	Fr. 1.91630	Fr. 191.63
500	Fr. 1.58472	Fr. 792.36
1’000	Fr. 1.47825	Fr. 1’478.25
2’000	Fr. 1.38879	Fr. 2’777.58
5’000	Fr. 1.37815	Fr. 6’890.75

Contenitore standard del produttore

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