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SPB11N60C3ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SPB11N60C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPB11N60C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPB11N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SPB11N60C3ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 11 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPB11N60C3ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 380mohm a 7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,9V a 500µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1200 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 1’721
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.34000 | Fr. 3.34 |
| 10 | Fr. 2.20100 | Fr. 22.01 |
| 100 | Fr. 1.55140 | Fr. 155.14 |
| 500 | Fr. 1.40810 | Fr. 704.05 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.15040 | Fr. 1’150.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.34000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.61054 |
Svizzera