Name: SPB18P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB18P06PGATMA1TR-ND
Price: 1.49178 CHF
Availability: InStock

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SPB18P06PGATMA1
Codice DigiKey	SPB18P06PGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPB18P06PGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPB18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPB18P06PGATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 18,7 A (Ta) 81,1W (Ta) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	18,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	130mohm a 13,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	860 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	81,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	SPB18P06

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Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2026

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Nastrato in bobina (TR)